报告题目：Packaging of 10 kV SiC MOSFETs: Trade-Off Between Electrical and Thermal Performances
(10 kV SiC MOSFET封装：电气和热性能之间的权衡)
报告人：Prof. Cyril BUTTAY
报告时间：2018年10月26日下午14:00
报告地点：科研中心D300会议室
报告人简介：
Cyril BUTTAY分别于2001年和2004年获得法国里昂应用科学学院(INSA)授予的工程师头衔和博士学位。2005-2007年，他作为副研究员服务于英国谢菲尔德大学电机和驱动器团队以及诺丁汉大学电力电子机器和控制团队。自2008年起，他成为法国国家科学研究中心(CNRS)的科学家，在位于里昂的安培实验室工作，主要研究针对高温(>200℃)、高压(10kV)或高密度应用的电力电子器件的封装。自2012年以来，他与一家致力于高压直流输电技术开发的超高压电网研究所密切合作，专注于高压SiC器件的设计与封装。目前，Cyril BUTTAY已发表了40余篇国际期刊论文和70多篇国际会议论文。
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